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      等離子體增強原子層沉積係統PICOSUN® R-200 高級版參數

      來源：www.jxwanqiao.com 發布時間：2022-10-13 14:36:39 瀏覽次數：

      PICOSUN® R-200 高級 ALD 係統適用於數十種應用的研發，例如 IC 組件、MEMS 設備、顯示器、LED、激光器和 3D 物體（如鏡片、光學器件、珠寶、硬幣和醫療植入物）。
      技術特點
      圖標-1-3
      典型的基板尺寸和類型
      50-200 mm 單晶片
      156 mm x 156 mm 太陽能矽晶片
      3D 對象
      粉末和顆粒
      小批量
      多孔、通孔和高縱橫比（高達 1:2500）
       
      加工溫度和容量
      50 – 500°C，等離子 450°C（650°C，可根據要求提供加熱卡盤）
       
      典型工藝
      Al 2 O 3、TiO 2、SiO 2、Ta 2 O 5、HfO 2、ZnO、ZrO 2、AlN、TiN、Pt或Ir等金屬
      圖標產品起重機鉤
      基板裝載
      使用氣動升降機手動裝載
      帶磁性機械臂的負載鎖
      帶搬運機器人的半自動裝載
      使用集群工具進行磁帶到磁帶的加載
       
      前體
      液體、固體、氣體、免费看片视频、等離子(*)
      多達 12 個源，帶 6 個獨立入口（如果選擇等離子選項，則為 7 個）
      圖標產品齒輪
      選項
      集群工具、Picoflow™ 擴散增強器、卷對卷室、RGA、UHV 兼容性、N2 發生器、氣體洗滌器、定製設計、用於惰性裝載的手套箱集成
      PICOSUN® R-200 高級 ALD 係統是高級 ALD 研究工具的全球市場領導者，擁有數百個客戶安裝。它已成為創新驅動的公司和研究機構的首選工具。
       
      靈活的設計可實現很高質量的 ALD 薄膜沉積以及很終的係統靈活性，以適應未來的需求和應用。獲得 的熱壁設計具有完全獨立的入口和儀器，可實現無顆粒處理，適用於晶圓、3D 物體和所有納米級特征上的各種材料。得益於免费看片91网站專有的 Picoflow™ 技術，即使在很具挑戰性的通孔、超高縱橫比和納米顆粒樣品上也能實現出色的均勻性。PICOSUN® R-200 Advanced 係統配備功能強大且易於更換的液態、氣態和固態化學品前體源。高效且獲得 的遠程等離子選項可在沒有短路或等離子損壞風險的情況下沉積金屬。與手套箱、特高壓係統、
       
      (*) 等離子發生器技術特點：
       
      遠程等離子源安裝到裝載室並連接到反應室
      藍寶石塗抹器適用於不同的化學物質，具有卓越的粒子性能
      商用微波等離子體發生器，功率可調 300 – 3000 W，頻率 2.45 GHz
      中間空間中的保護氣體流動（等離子體物質無反向擴散）
      在同一沉積運行期間進行等離子體和熱 ALD 循環的可能性，無需對係統進行硬件更改
      以下相關標準用於評估電源的合規性：DIN EN ISO 12100:2011-03、DIN EN 60204-1:2007-06、DIN EN 61000-6-2:2006-03、DIN EN 61000-6 -4:2011-09
      電源的開發和製造符合 SEMI S2-0310 中規定的要求

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